水调歌头·贺中国半导体芯片制造技术突破：仅次于光刻，打破欧美日技术垄断
（钦定词谱毛滂体·《词林正韵》第七部平声）
文/周科云
光刻千重锁，氢注涌波澜。国芯晶亮，他石攻玉探尖端。惜近瑶台跃试，恰似繁星逐月，奋勉意拳拳。启明散迷雾，破堵向蓬山。
辟蹊径，克险隘，绽华颜。龙腾四海，昂首长啸荐轩辕。华夏苍生聚力，域外怨雠愕乱，热血化冰寒。大纛迎风猎，天下敢为先。
注：近日，国家电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司(以下简称“核力创芯”)暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心，完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和关键工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。
氢离子注入这项技术是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用，该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是 600V 以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的重大技术突破，解决了垄断和卡脖子的问题，意义非常深远。
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